片式二極管

片式二極管概述

片式二極管【SMD Diode】

全稱：片式晶體二極管，也稱為：貼片二極管。
片式晶體二極管屬于最基礎(chǔ)的片式半導(dǎo)體器件，其最重要的性質(zhì)就是單向?qū)щ娞匦?。半?dǎo)體是一種特殊性質(zhì)的物質(zhì)，它不像導(dǎo)體一樣可以導(dǎo)電，也不像絕緣體那樣不能導(dǎo)電，而是介于二者之間，所以稱之為半導(dǎo)體，在半導(dǎo)體中有二種最重要的元素就是硅和鍺，晶體二極管根據(jù)所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。
晶體二極管的實(shí)質(zhì)是一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的“PN結(jié)”，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于“PN結(jié)”兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等，而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用，使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓達(dá)到一定程度時(shí)，P-N結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，形成大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。
片式二極管的種類繁多，目前，主要有以下系列產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用：

• 穩(wěn)壓二極管、整流二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管以及瞬變抑制二極管等

完整的功率容限曲線

降低三極管的發(fā)熱損耗

放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts

完整的功率容限曲線

功率容限(SOA)是一個(gè)曲線包圍的區(qū)域(圖1)，當(dāng)加在三極管上的電壓、電流坐標(biāo)值超過(guò)曲線范圍時(shí)，三極管將發(fā)生功率擊穿而損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，某些開關(guān)電源線路負(fù)載為感性，三極管關(guān)斷后，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢(shì)反峰電壓加在三極管的CE極之間，三極管必須有足夠的SOA、BVceo和BVcbo值才能承受這樣的反壓。

必須注意：目前一般三極管使用廠家不具備測(cè)試SOA的條件，即使是有條件的半導(dǎo)體三極管生產(chǎn)廠家，具備測(cè)試該指標(biāo)的能力，但是儀器測(cè)試出的往往只是安全工作區(qū)邊界點(diǎn)上的數(shù)值，而不是SOA曲線的全部。這樣就有可能出現(xiàn)：在一點(diǎn)上SOA值完全一樣的兩對(duì)三極管，實(shí)際線路上使用過(guò)程中，一對(duì)三極管損壞了，而另外一對(duì)卻沒有損壞。

因此，在選擇燈用三極管的過(guò)程中，一定要找到器件生產(chǎn)廠家提供的完整SOA曲線。

降低三極管的發(fā)熱損耗

目前，節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器普遍采用上下管輪流導(dǎo)通工作的線路，電感負(fù)載產(chǎn)生的自感電勢(shì)反峰電壓經(jīng)由導(dǎo)通管泄放，所以普遍感到三極管常溫下SOA值在節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器線路中不十分敏感。而降低三極管的發(fā)熱損耗卻引起了業(yè)界的普遍關(guān)注，這是因?yàn)槿龢O管的二次擊穿容限是隨著溫度的升高而降低的(圖2)。

三極管在電路中工作一段時(shí)間以后，線路元器件會(huì)發(fā)熱(包括管子本身的發(fā)熱)，溫度不斷上升導(dǎo)致三極管hFE增大，開關(guān)性能變差，二次擊穿特性下降。反過(guò)來(lái)，進(jìn)一步促使管子發(fā)熱量增大，這樣的惡性循環(huán)最終導(dǎo)致三極管擊穿燒毀。因此，降低三極管本身的發(fā)熱損耗是提高三極管使用可靠性的重要措施。

實(shí)驗(yàn)表明：晶體管截止?fàn)顟B(tài)的功耗很小；導(dǎo)通狀態(tài)的耗散占一定比例，但變化余地不大。晶體管耗散主要發(fā)生在由飽和向截止和由截止向飽和的過(guò)渡時(shí)期，而且與線路參數(shù)的選擇及三極管的上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf有很大關(guān)系。

最近幾年，業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器專用三極管都充分注意到降低產(chǎn)品的開關(guān)損耗，例如，國(guó)產(chǎn)BUL6800系列產(chǎn)品在優(yōu)化MJE13000系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，大幅提高了產(chǎn)品的開關(guān)損耗性能。

此外，控制磁環(huán)參數(shù)也有利于控制損耗。因?yàn)榇怒h(huán)參數(shù)的變化會(huì)引起三極管Ib的變化，影響三極管上升和下降時(shí)間。三極管過(guò)驅(qū)動(dòng)可以造成三極管嚴(yán)重發(fā)熱燒毀，而三極管驅(qū)動(dòng)不足，則可能造成三極管冷態(tài)啟動(dòng)時(shí)瞬時(shí)擊穿損壞。

放大倍數(shù)hFE和貯存時(shí)間ts

三極管的hFE參數(shù)與貯存時(shí)間ts相關(guān)，一般hFE大的三極管ts也較大，過(guò)去人們對(duì)ts的認(rèn)識(shí)以及ts的測(cè)量?jī)x器均較為欠缺，人們更依賴hFE參數(shù)來(lái)選擇三極管。

在開關(guān)狀態(tài)下，hFE的選擇通常有以下認(rèn)識(shí)：第一、hFE應(yīng)盡可能高，以便用最少的基極電流得到最大的工作電流，同時(shí)給出盡可能低的飽和電壓，這樣就可以同時(shí)在輸出和驅(qū)動(dòng)電路中降低損耗。但是，如果考慮到開關(guān)速度和電流容限，則hFE的最大值就受到限制；第二、中國(guó)的廠家曾經(jīng)傾向于選用hFE較小的器件，例如hFE為10到15，甚至8到10的三極管就一度很受歡迎(后來(lái)，由于基極回路流行采用電容觸發(fā)線路，hFE的數(shù)值有所上升)，hFE的數(shù)值小則飽和深度小，從而有利于降低晶體管的發(fā)熱。

實(shí)際上，晶體管的飽和深度受到Ib、hFE兩個(gè)因素的影響，因而通過(guò)磁環(huán)及繞組參數(shù)、基極電阻 Rb的調(diào)整，也可以降低飽和深度。

目前，業(yè)界推出的節(jié)能燈和電子鎮(zhèn)流器專用三極管都十分注重對(duì)貯存時(shí)間的控制。因?yàn)橘A存時(shí)間ts過(guò)長(zhǎng)，電路的振蕩頻率將下降，整機(jī)的工作電流增大易導(dǎo)致三極管的損壞。雖然可以調(diào)整扼流圈電感及其他元器件參數(shù)來(lái)控制整機(jī)功率，但ts的離散性，將使產(chǎn)品的一致性差，可靠性下降。例如，在石英燈電子變壓器線路中，貯存時(shí)間太大的晶體管可能引起電路在低于輸出變壓器工作極限的頻率振蕩，從而造成每個(gè)周期的末端磁芯飽和，這使得晶體管Ic在每個(gè)周期出現(xiàn)尖峰，最后導(dǎo)致器件過(guò)熱損壞。

如果同一線路上的兩個(gè)三極管貯存時(shí)間相差太大，整機(jī)工作電流的上下半波將嚴(yán)重不對(duì)稱，負(fù)擔(dān)重的那只三極管將容易損壞，線路也將產(chǎn)生更多的諧波和電磁干擾。

實(shí)際使用表明，嚴(yán)格控制貯存時(shí)間ts并恰當(dāng)調(diào)整整機(jī)電路，就可以降低對(duì)hFE參數(shù)的依賴程度。還值得一提的是，在芯片面積一定的情況下，三極管特性、電流特性與耐壓參數(shù)是矛盾的，中國(guó)市場(chǎng)曾經(jīng)用BUT11A來(lái)做220V40W電子鎮(zhèn)流器，其出發(fā)點(diǎn)是BVceo、BVcbo數(shù)值高，但是目前絕大部分電子鎮(zhèn)流器線路中，已經(jīng)沒有必要過(guò)高選擇三極管的電壓參數(shù)。