TF3系列器件具有一個(gè)內(nèi)部的電子式熔斷裝置，在+25℃、最小5A電流條件下，熔斷裝置可以0.1秒的時(shí)間內(nèi)起作用。在因電流過大引發(fā)故障的情況下，可以防止對(duì)電路元器件造成損傷。
這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25Ω，為需要這種安全級(jí)別的高電流應(yīng)用(>10A)進(jìn)行了優(yōu)化，包括工業(yè)應(yīng)用、醫(yī)療儀器、診斷和控制設(shè)備、高端計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，以及通信基站。
采用C、D和E外形編碼的TF3器件的容值范圍為0.47μF～470μF。這些電容器可承載高紋波電流，電壓范圍為4V～50V，工作溫度范圍為-55℃～+125℃。
TF3系列電容器可采用高速自動(dòng)拾放設(shè)備進(jìn)行貼裝，具有符合RoHS指令的標(biāo)準(zhǔn)錫端接，并提供Sn/Pb端接。這些器件均進(jìn)行了全面完整的浪涌電流測(cè)試，滿足EIA 535BAAC規(guī)范的要求。
| 貼片鉭電容 | 鉭電容封裝 | 鉭電容規(guī)格 | 鉭電容耐壓 | 鉭電容尺寸 | ||||
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