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新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品介紹

發(fā)布時(shí)間:2024-12-10 品牌:新潔能(NCE) 瀏覽量:161

SGT技術(shù)本身是一種先進(jìn)的制造工藝,通過(guò)減小場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生電容及導(dǎo)通電阻,提升了芯片性能,并減少了芯片面積。與傳統(tǒng)的溝槽型MOSFET相比,SGT技術(shù)能夠在相同功耗下將芯片面積減少40%甚至更多。之前有相關(guān)文章介紹了新潔能N溝道SGT-ISGT-II系列產(chǎn)品,今天來(lái)介紹新潔能新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品


產(chǎn)品特點(diǎn):

  • 導(dǎo)通電阻降低:相比于上一代產(chǎn)品,SGT-Ⅲ系列MOSFET的特征導(dǎo)通電阻降低了20%以上。
  • 開關(guān)特性優(yōu)良:該MOSFET具有超低柵極電荷和大電流關(guān)斷能力強(qiáng)的特點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
  • 抗沖擊能力強(qiáng):新潔能的Super Trench技術(shù)提升了MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的系統(tǒng)效率和功率密度,同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過(guò)程中的抗沖擊耐量短路能力提升:短路能力也提升了10%以上,進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的性能和競(jìng)爭(zhēng)力。
  • EMI特優(yōu)化性:第三代產(chǎn)品具有更優(yōu)的電磁干擾(EMI)特性,可以更好地應(yīng)對(duì)電磁干擾問(wèn)題。
30-250V N溝道SGT-III MOSFET產(chǎn)品列表
NCEP008NH40GU NCEP088NH150GU NCEP015NH30AQU NCEP055NH40GU
NCEP023NH30GU NCEP008NH40ASL NCEP015NH30GU NCEP055NH40AGU
NCEP040NH150LL NCEP018NH30QU NCEP015NH30AGU NCEP011NH40GU
NCEP011NH25QU NCEP023NH85GU NCEP015NH100LL NCEP015NH40GU
NCEP048NH150T NCEP014NH60GU NCEP058NH150 NCEP011NH40AGU

產(chǎn)品應(yīng)用:

  • 電源管理:廣泛于電源開關(guān)、電源逆變器、電源供應(yīng)和穩(wěn)壓器等應(yīng)用,以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。
  • 電機(jī)控制:適用于高功率電機(jī)控制,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、大型電機(jī)和電機(jī)保護(hù)電路。

南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商,倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨超過(guò)200k,可以為各類新產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供小批量樣品快速發(fā)貨服務(wù),歡迎咨詢選購(gòu)新潔能新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品,如需產(chǎn)品最新價(jià)格請(qǐng)聯(lián)系我們18251882769(唐經(jīng)理)或者聯(lián)系網(wǎng)站客服。