我們該如何理解
三極管的工作原理?
三極管是電流控制型元件,通過調(diào)節(jié)輸入電流的大小,可控制輸出的電流。因為輸出端電流大小與輸入端呈β倍的關(guān)系,故三極管一般被應(yīng)用于放大電路中。
三極管的一個重要的特性就是放大。我們可以用現(xiàn)實中的例子來形象的解釋這個原理。將三極管看成是一個水壩,電流假設(shè)為水流。水壩有兩個閥門,一個大閥門(IC),一個小閥門(IB)。由于大閥門需要很大的力量才能打開,所以不能夠直接打開。而打開小閥門需要的力量較小,我們可以直接開啟。通過開啟小閥門,讓通過小閥門的水流去沖擊打開大閥門。當(dāng)小閥門的水流(基極電流)足夠大時,大閥門(集電極)被打開,水流(集電極電流)就流出來了。所以大閥門的水流大小是由小閥門控制的。當(dāng)小閥門的水流不足時,大閥門無法打開,相當(dāng)于三極管截止。當(dāng)大閥門已經(jīng)開至最大,無論怎么增加小閥門的水流也無法增加大閥門的水流時,可以看作是三極管飽和。
當(dāng)然這只是一個形象的說法,要清楚三極管真正的工作原理,我們必須要回歸至三極管的背部結(jié)構(gòu)-PN結(jié)。要說明PN結(jié)如何使三極管工作的,我們還要先回顧一下
二極管的原理。下圖為二極管PN結(jié)導(dǎo)通時的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1 二極管的導(dǎo)通示意圖
圖中標(biāo)N的為N型半導(dǎo)體
N型半導(dǎo)體中摻雜了磷元素或銻元素的硅晶體,由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代,磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵,多出的一個電子幾乎不受束縛,較為容易地成為自由電子。于是,N型半導(dǎo)體就成為了含電子濃度較高的半導(dǎo)體。
圖中標(biāo)P的為P型半導(dǎo)體
摻入少量雜質(zhì)硼元素(或銦元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導(dǎo)體原子(如硅原子)被雜質(zhì)原子取代,硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導(dǎo)體原子形成共價鍵的時候,會產(chǎn)生一個“空穴”,這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”,使得硼原子成為帶負電的離子。這樣,這類半導(dǎo)體由于含有較高濃度的“空穴”(“相當(dāng)于”正電荷)
PN結(jié)
在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后,由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少,而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少,在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別。這樣,電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。于是,有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴散,也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴散。它們擴散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴,留下了帶負電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子,留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動,因此不參與導(dǎo)電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近,形成了一個很薄的空間電荷區(qū)。
空間電荷區(qū)由于正負電荷相互作用,形成了內(nèi)電場。其方向與載流子的擴散方向相反,阻值載流子擴散。由于該電場的作用將使N區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)向P區(qū)漂移,使P區(qū)的少數(shù)載流子(電子)向N區(qū)漂移。漂移運動與擴散運動正好方向相反,最后達到平衡。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的結(jié)合面兩側(cè),留下離子薄層,這個離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)的內(nèi)電場方向由N區(qū)指向P區(qū)。在空間電荷區(qū),由于缺少多子,所以也稱耗盡層。
下圖為載流子的擴散運動與載流子的漂移運動。
圖2 載流子的擴散運動 圖3 載流子的漂移運動
了解了這些以后,下面說明三極管的原理(NPN型)。三極管的原理圖如圖4所示。
圖4 三極管原理圖(NPN型)
如果要讓三極管工作與放大狀態(tài),必須要讓集電極反偏,發(fā)射極正偏。下面探究集電極電流IC的形成原因。
集電極電流I
C的形成
這里基極與集電極相當(dāng)于一個二極管,在二極管上加反偏電壓時,P區(qū)與N區(qū)的多數(shù)載流子會被引向電源方向(對于N區(qū)來說電子為多數(shù)載流子;對于P區(qū)來說空穴為多數(shù)載流子)。這時P區(qū)與N區(qū)的少數(shù)載流子在電源與內(nèi)電場的共同作用下,會穿過PN結(jié)形成反向電流。其實這里的電流IC大小與反向偏置電壓VC的大小并沒有什么關(guān)系,VC只是提供了一個反向偏置電壓,它的大小對于IC來說影響很小。真正決定I
C大小的是少數(shù)載流子的多少。如圖5。
圖5 集電極反偏時的I
C
集電極電流I
C增大的原因
如果想要增加I
C,那么只需要增加少數(shù)載流子就可以達到目的了。P區(qū)的少數(shù)載流子是電子,所以為了向P區(qū)(基極)增加少數(shù)載流子,就在P區(qū)上再加一塊N型半導(dǎo)體。在正向偏置電壓的作用下,N區(qū)(發(fā)射極)的電子被注入到P區(qū)(基極)中,P區(qū)中的空穴移動到N區(qū)?;鶚O的少數(shù)載流子(電子),因為發(fā)射極的注入而增多了。如圖6所示。
圖6 發(fā)射極的電子注入到基極中
雖然基極的電子增多了,但相對來說電子仍是少數(shù)載流子。而少數(shù)載流子在外加反向偏置電壓與內(nèi)電場的共同作用下,會很容易的通過PN結(jié)。所以基極的更多的電子會移動到集電極,而集電極的更多空穴會因為載流子濃度的改變而移動到基極。集電極與基極之間的電流I
C也就變大了。
圖7 三極管載流子與電流
基極電流I
B與集電極電流I
C的關(guān)系
整個三極管的電流都是電子從發(fā)射極至基極再至集電極的流動。發(fā)射極向基極注入電子,電子會被基極的空穴攔截一部分(電子與空穴結(jié)合),這部分形成的電流就是I
B,而剩余到達集電極的電子形成的電流就是I
C??梢奍
B與I
C的放大關(guān)系是由基極的空穴濃度決定的?;鶚O越薄的話,空穴濃度就低,通過的電子就越多形成的電流IC就越大,放大倍數(shù)β也就越大。所以I
B與I
C的放大倍數(shù)的根本決定因素就是基極的空穴濃度,也就是三極管的結(jié)構(gòu)。